【天极网手机频道】随着台积电的5nm工艺进入量产阶段，更先进的3nm工艺也开始提上日程。随着3nm工艺的临近，人类正在逼近硅基半导体的极限，如果不能解决一系列难题，3nm工艺很有可能是未来CPU等芯片的极限。虽然台积电有信心将工艺推进到2nm甚至1nm，但相关技术并没有走出实验室呢。 

  在台积电4月17日的财报会议上，台积电首次公布3nm工艺详情，预计在2022年下半年量产。台积电原计划4月29日在美国举行技术论坛上公布3nm工艺详情，不过该技术会议已经延期到8月份，台积电就在Q1财报会议上提前公布3nm工艺的技术信息及进度。

  台积电表示，3nm工艺不受疫情影响，研发进度符合预期，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。更重要的是台积电评估多种选择后认为，FinFET工艺的成本及能效比GAA更好，所以第一代3nm工艺还将继续使用FinFET晶体管技术。

  台积电3nm节点的最大对手三星同样押注3nm节点，进度及技术选择都很激进，三星将淘汰FinFET晶体管，直接使用GAA环绕栅极晶体管。根据三星的信息，相较于7nm FinFET工艺，3nm工艺可以减少50%能耗、增加30%性能。三星计划2021年量产，疫情影响已推迟到2022年，但没有明确具体时间。

  早前媒体报道称，台积电受疫情影响将会降低2020年的资本支出，但台积电在财报说明会上表示，2020年资本支出计划不变，预计支出在150至160亿美元之间。台积电总裁魏哲家表示，5G及高效能运算(HPC)在未来几年对先进制程的需求强劲，疫情只影响短期业务，布局中长期产能不需要改变资本支出计划。

  台积电持续推进先进制程产能扩张，魏哲家表示，台积电7nm需求仍然十分强劲，订单充足，7nm优化后的6nm制程将如期在年底量产，6nm与7nm加强版相较会增加1层EUV(极紫外光刻)光罩层。 

  针对5nm生产进度，魏哲家表示，5nm已准备好进入量产，5nm制程增加更多的EUV光罩层，下半年会开始进入量产，为客户生产智能手机及HPC等芯片，今年营收占比达10%预估不变。